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MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體，描寫了集成電路中的構(gòu)造，即：在必然構(gòu)造的半導(dǎo)體器材上，加上二氧化硅和金屬，構(gòu)成柵極。這兩種型態(tài)的構(gòu)造沒有太大的差異，僅僅耗盡型MOS一...
場效應(yīng)結(jié)晶體管（FieldEffect Transistor縮寫（FET））職稱場效應(yīng)管。由少數(shù)載流子參加導(dǎo)熱，也稱為多極型結(jié)晶體管。它歸于電壓掌握型半超導(dǎo)體機(jī)件。存正在輸出電阻高（10^8~10^9）、噪音...
1、產(chǎn)品線是否豐富，有沒有同行的成功案例 如DC/DC電源模塊，是否能提供像半磚，1/4磚，1/8磚,1/16磚這種工業(yè)產(chǎn)品，如不能提供，說明企業(yè)研發(fā)實(shí)力和規(guī)模是不大的。定制產(chǎn)品的能力，...
芯片減薄技術(shù)，在疊層式芯片封裝技術(shù)方面是至關(guān)重要的，因?yàn)樗档土朔庋b貼裝高度，并能夠使芯片疊加而不增加疊層式芯片系統(tǒng)方面的總高度。智能卡和RFID是體現(xiàn)薄型晶元各項(xiàng)要求...
晶圓級工藝技術(shù)，如微小間距晶圓凸點(diǎn)、引線焊盤重分布和集成無源元件等為很多應(yīng)用提供了方便的解決方案。目前，許多IC和MEMS的器件已經(jīng)應(yīng)用了這些技術(shù)。利用這些技術(shù)，可以在晶...
在倒裝芯片互連方式中，UBM層是IC上金屬焊盤和金凸點(diǎn)或焊料凸點(diǎn)之間的關(guān)鍵界面層。該層是倒裝芯片封裝技術(shù)的關(guān)鍵因素之一，并為芯片的電路和焊料凸點(diǎn)兩方面提供高可靠性的電學(xué)...
引線鍵合自50年前誕生以來，一直被認(rèn)為是一種通用的、可靠的互連技術(shù)。但是，隨著移動通信、因特網(wǎng)電子商務(wù)無線接入系統(tǒng)及藍(lán)牙系統(tǒng)與傘球定位系統(tǒng)(GPS)技術(shù)的高速發(fā)展，手機(jī)已成...
膜再分布WL-CSP是當(dāng)今使用最普遍的工藝。因?yàn)樗某杀据^低，非常適合大批量、便攜式產(chǎn)品板級應(yīng)用可靠性標(biāo)準(zhǔn)的要求。如同其它的WLP一樣，薄膜再分布WL-CSP的晶元仍采用常規(guī)晶元工藝...
晶元級封裝 WLP的最初萌芽是由用于移動電話的低速I／O(low-I／O)、低速晶體管元器件制造帶動起來的，如無源的片上感應(yīng)器和功率傳輸ICs等，目前WLP正處于發(fā)展階段，受到藍(lán)牙、GPS(全球...
MOS管的通/斷原理是：MOS管工作在恒流區(qū)和夾斷區(qū)，柵源極之間的電壓，控制漏源極之間的電流，當(dāng)柵源之間電壓一定時，漏源之間電流一定。 一般情況下，我們把PMOS用作上管、NMOS做下...
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