芯片減薄技術(shù)，在疊層式芯片封裝技術(shù)方面是至關(guān)重要的，因?yàn)樗档土朔庋b貼裝高度，并能夠使芯片疊加而不增加疊層式芯片系統(tǒng)方面的總高度。智能卡和RFID是體現(xiàn)薄型晶元各項(xiàng)要求的重要部分最薄的單芯片應(yīng)用形式。較薄的芯片可增加熱循環(huán)可靠性，且支持薄形產(chǎn)品。但芯片薄到什么程度取決于晶元直徑和WLP工藝，其原因是：薄的晶元表面容易產(chǎn)出損傷，引起微裂紋，以及在其后的操作中造成晶元破裂。由于晶元背面研磨是晶元加工工藝的最終步驟，而晶元要減薄到什么程度卻受WLP工藝限制。因此，把晶元級(jí)封裝看作是晶元工藝的延伸，在設(shè)計(jì)晶元工藝時(shí)應(yīng)考慮到封裝工藝步驟的適用范圍。

 

硅與安裝基板熱膨脹系數(shù)匹配不良是封裝焊料球在熱循環(huán)試驗(yàn)及現(xiàn)場(chǎng)使用中產(chǎn)生疲勞失效的重要原因。另外，這種失效也與每個(gè)元件自身的強(qiáng)度如何密切相關(guān)。芯片越薄，柔性也越好，焊料球抗疲勞的性能必將得到提高。因此，將晶元減薄并由此減小芯片厚度，也是改進(jìn)焊料凸點(diǎn)可靠性的重要措施之一。在晶元級(jí)封裝加工之前減薄晶元，容易使晶元變形甚至破碎，這是不可取的。在晶元級(jí)封裝加工完成之后進(jìn)行晶元減薄是一種較好的辦法，但實(shí)施起來(lái)比較困難。供晶元級(jí)封裝制造用的晶元和減薄技術(shù)及設(shè)備正在開(kāi)發(fā)之中。