膜再分布WL-CSP是當今使用最普遍的工藝。因為它的成本較低，非常適合大批量、便攜式產(chǎn)品板級應(yīng)用可靠性標準的要求。如同其它的WLP一樣，薄膜再分布WL-CSP的晶元仍采用常規(guī)晶元工藝制作。在晶元送交WLP供貨商之前，要對晶元進行測試，以便對電路進行分類和繪出合格電路的晶元圖。晶元在再分布之前，先要對器件的布局進行評估，以確認該晶元是否適合于進行焊球再分布。

 

一種典型的再分布工藝，最終形成的焊料凸點呈面陣列布局，該工藝中，采用BCB作為再分布的介質(zhì)層，Cu作為再分布連線金屬，采用濺射法淀積凸點底部金屬層(UBM)，絲網(wǎng)印刷法淀積焊膏并回流，其中底部金屬層工藝對于減少金屬間化合反應(yīng)和提高互連可靠性來說十分關(guān)鍵。 

 

再分布工藝就是在器件表面重新布置I／O焊盤。圖3示出了鍵合閃速存儲器上再分布的情形。從圖中可見，閃速存儲器芯片四邊上的原有焊盤轉(zhuǎn)換成了凸點陣列。在此實例中，器件表面使用了兩層介質(zhì)層，中間夾有的一層再分布金屬化層用于改變I／O的分布。在這工序之后，電鍍上焊球凸點，于是芯片就變成了WLP產(chǎn)品。

 

將引線鍵合焊盤設(shè)計再分布成焊球陣列焊盤的缺點是：生產(chǎn)的WLP產(chǎn)品在器件設(shè)計、結(jié)構(gòu)或制造成本方面不可能是最佳。但是，一旦證明其技術(shù)上可行，那么就可對這種電路重新設(shè)計，于是就可以消除外加再分布。這種情況已成共識。為此，特別定義了一種雙相判定程序。下一代的變化可能是在芯片最后金屬層內(nèi)集成再分布層，或者是一種用以改進性能的最短信號線的新設(shè)計。

 

重新設(shè)計可能需要補充新的軟件工具。由于重新設(shè)計可消除外加的再分布工序和相關(guān)工藝，因此，重新設(shè)計的信號、電源和接地線的結(jié)構(gòu)非常低廉。聚合物用于硅片平坦化，對芯片提供必要的保護，以及用作標準的表面涂敖。對于薄膜再分布WLP來說，單層聚合物WLP方法不失為一種成本--效益更佳的設(shè)計。