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MOS開關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用

作者: 未知 發(fā)表時(shí)間:2020-11-19 16:04 瀏覽量:133

一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)

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